Electronics Communication Engineering, Techno India University, Kolkata, India;
Electronics Communication Engineering, Techno India University, Kolkata, India;
FinFETs; Threshold voltage; Logic gates; Capacitance; Leakage currents; Analytical models; Integrated circuits;
机译:Si / Ge异质结FinFET中阈值电压和亚阈值摆幅的分析模型
机译:双材料栅极(DMG)SOI FinFET中的表面电势,阈值电压和亚阈值摆幅的3D分析建模
机译:无结三栅极FinFET的沟道电势,阈值电压和亚阈值摆幅的分析模型
机译:三角形FINFET亚阈值挥杆的分析模型
机译:FinFET亚阈值行为的研究。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:收缩注意:铁电材料参数变化对NC-FET的最小亚阈值摆动的影响的分析模型