机译:收缩注意:铁电材料参数变化对NC-FET的最小亚阈值摆动的影响的分析模型
机译:收缩注意:铁电材料参数变化对NC-FET的最小亚阈值摆动的影响的分析模型
机译:铁电材料参数变化对NC-FET最小亚阈值摆幅的影响的分析模型
机译:分析模型对负电容电容器中最小亚阈值摆动的效果的影响
机译:介电电荷对绝缘体上硅锗(SGOI)MOSFET的应变硅(s-Si)的亚阈值电流和亚阈值摆幅的影响的分析模型
机译:铁电材料的原子粗粒度混合建模。
机译:步行速度对单脚跨胫截肢者最小脚趾间隙以及最小间隙与峰值挥脚速度之间的时间关系的影响
机译:硅锗(SiGe)MOSFET上的双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)的二维(2D)亚阈值电流和亚阈值摆幅模型。