Department of Computer Engineering, Universitat Polit#x00E8;
cnica de Val#x00E8;
ncia, Spain;
机译:在L1数据高速缓存中用3T1D DRAM替换6T SRAM以应对工艺变化
机译:基于技术可扩展STT-RAM的L1指令缓存的新技术
机译:使用电磁RAM构建低功耗和软错误恢复L1高速缓存
机译:采用45nm SOI技术的32kB 2R / 1W L1数据高速缓存,用于POWER7TM处理器
机译:利用关键路径指令提高l1数据高速缓存和寄存器文件的功能。
机译:用于低延迟和低功耗3D堆叠DRAM的DRAM中缓存管理
机译:结合Ram技术,在极低功耗模式下工作的L1数据缓存中进行硬错误恢复