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【24h】

A 32kB 2R/1W L1 data cache in 45nm SOI technology for the POWER7TM processor

机译:采用45nm SOI技术的32kB 2R / 1W L1数据高速缓存,用于POWER7TM处理器

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摘要

The POWER7¿ microprocessor features a 32 kB L1 data cache with a 2R and banked-1W functionality using a 6T-SRAM cell. Read/write collision is intercepted inside the array with write-over-read priority. The array-specific power supply improves SRAM cell stability and performance while reducing the logic voltage level. The macro is fabricated in a 45nm CMOS SOI technology.
机译:Power7äÂ,¿¿微处理器使用6T-SRAM单元具有32 kB L1数据缓存,具有2R和Banked-1W功能。读/写碰撞在数组内拦截,具有写入读取优先级。阵列特定电源可提高SRAM单元稳定性和性能,同时降低逻辑电压电平。宏由45nm CMOS SOI技术制造。

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