Intel Corporation, 3065 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054;
alternating phase shift mask; phase edge; architecture; scalability; resolution enhancement technique;
机译:建议的单层复合膜用作32、45和65 nm技术节点的高透射相移掩模
机译:使用无定形Al_2O_3-ZrO_2-SiO_2复合薄膜的ArF线高透射率衰减相移掩模坯料,用于65、45和32 nm技术节点
机译:使用90纳米技术节点的三层(Ta_2O_5)_x /(Al_2O_3)_(1-x)涂层的高透射率衰减相移掩模
机译:交替的相移掩模架构可伸缩性,实现和60nm和65nm技术节点及更高的应用
机译:微波应用的相移表面(PSS)和相移幅值表面(PASS)。
机译:围绕Medoids(PAM)算法进行分区的并行体系结构可实现可扩展的多核处理器及其在医疗保健中的应用
机译:90nm CMOS技术的单端6T SRAM单元分析和电荷回收存储架构的实现