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双吸收层交替相移掩模衍射场的计算方法

摘要

本发明提供一种双吸收层交替相移掩模衍射场的计算方法,具体步骤为:步骤一、设定电磁场展开时的空间谐波数n;步骤二、将每一层光栅的介电常数进行傅里叶Fourier级数展开,其中对TM偏振光,通过对介电常数倒数进行Fourier级数展开;步骤三、针对TE偏振光和TM偏振光,求解每层光栅的特征矩阵,再利用电磁场切向连续的边界条件,获取TE偏振光所对应的衍射场。本发明针对TM偏振光,通过对介电常数倒数进行Fourier级数展开,改善了TM偏振光入射有损掩模光栅时收敛性,使得计算出的衍射场具有更高的准确性。

著录项

  • 公开/公告号CN102540698B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-07-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京理工大学;

    申请/专利号CN201210046169.1

  • 发明设计人 李艳秋;杨亮;

    申请日2012-02-24

  • 分类号

  • 代理机构北京理工大学专利中心;

  • 代理人李爱英

  • 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号

  • 入库时间 2022-08-23 09:20:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-07-30

    授权

    授权

  • 2012-09-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/26 申请日:20120224

    实质审查的生效

  • 2012-07-04

    公开

    公开

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