The Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, 141190 Fryazino, Moscow Region, Russia;
the tunnel current; the generation of the minority carriers; the MIS-structure; thin tunnelly transparent gate oxide; impact ionization;
机译:薄栅绝缘子隧穿电导率在金属-绝缘体-半导体结构中少数载流子产生动力学中的体现
机译:浮动端子的少数载流子收集动作启动向闪存中的低电平栅极电流注入
机译:少数载流子在金属氧化物半导体隧穿二极管的电流行为中引起肖特基势垒高度调制
机译:通过Si-MIS结构中通过薄栅极氧化物产生薄栅氧化物产生的隧道电流
机译:超薄氧化物CMOS技术中的模拟集成电路设计,具有显着的直接隧穿感应栅极电流。
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:具有多晶硅和polysi0.7Ge0.3栅极材料的p +栅mOs电容器的少数载流子隧穿和应力诱导泄漏电流
机译:超氧化物引发和传播的2-硝基丙烷的自由基链氧化