Infineon Technologies AG, Corporate Research Photonics, Otto-Hahn-Ring 6, D-81739 Munich, Germany;
electroabsorption modulator; distributed feedback laser; monolithic integration; optical data transmission;
机译:集成的1.3- / spl mu / m DFB激光电吸收调制器,基于具有25 GHz调制性能的相同MQW双堆叠有源层
机译:集成了InGaAlAs-InP和InGaAsP-InP MQW电吸收调制器且集成了半导体放大器的10 Gb / s激光模块的非制冷性能
机译:通过选择性区域MOCVD制备的1.3 / spl mu / m集成锥形MQW的波导损耗估计
机译:具有双堆叠MQW层结构的40 GHz单片集成式1.3μmInGaAlAs-InP激光调制器
机译:在铝-铟-锑变质缓冲层上生长的中红外镓-铟-锑/铝-镓-铟-锑MQW激光器。
机译:在阱层中具有不同Si掺杂水平的Al0.5Ga0.5N / Al0.35Ga0.65N MQW中自由和束缚的激子效应
机译:使用集成激光调制器/放大器设备进行光反馈的研究