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机译:通过选择性区域MOCVD制备的1.3 / spl mu / m集成锥形MQW的波导损耗估计
机译:1.3 / splμm/ m窄光束发散锥形厚度波导BH MQW激光器的高温操作
机译:1.3 / spl mu / m InGaP / InAsP MQW激光器,具有通过标准掩埋异质结构工艺制造的大光斑尺寸和低损耗光纤芯片耦合
机译:InGaAsP-InP压缩应变MQW脊形波导激光器在1.3 / spl mu / m时的效率和损耗的阱数,长度和温度依赖性
机译:通过脉冲模式选择性MOVPE制成的1.3 / spl mu / m应变MQW ASM-DC-PBH LD具有出色的高温特性
机译:1.3微米偏振不敏感的锥形波导器件。
机译:双曲余弦波导锥度和超大矩形波导可减少W波段电子顺磁共振波谱中的宽带插入损耗。二。宽带表征
机译:Mocvd选择性区域生长制备的1.3μm多波长DFB激光器阵列
机译:由固相再生制备的平面低损耗光波导