ECE Department, Box 7911 North Carolina State University Raleigh, NC 27695-7911;
high voltage FET reliability; AlGaN/GaN HFET reliability; HFET gate leakage; nitride HFETs;
机译:具有AlGaN背势垒的高截止态击穿电压60nm长栅AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管
机译:外延层质量对Si衬底上GaN / AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管可靠性的影响
机译:使用高压电容-电压测量在带场板的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的阱轮廓提取
机译:高压AlGaN / GaN和GaAS场效应晶体管的可靠性建模
机译:AlGaN / GaN异质结场效应晶体管的性能和可靠性建模。
机译:自对准栅AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的氮化钛的合成
机译:AlGaN / GaN / AlGaN双重异质结构,用于高功率III-N场效应晶体管
机译:GaN / alGaN场效应晶体管中晶格和热应力的研究