Kyushu Institute of Technology, Tobata, Kitakyushu 804-8550, Japan;
electroluminescence; InGaN; light-emitting-diodes; quantum wells;
机译:蓝色和绿色(ln,Ga)N多量子阱二极管中随温度变化的电致发光效率的比较研究
机译:正偏压对蓝色和绿色InGaN量子阱二极管中电致发光效率的影响:比较研究
机译:InGaN / GaN多量子阱蓝色发光二极管中的效率下降与电致发光的蓝移之间的相关性
机译:蓝色电致发光效率的比较研究,蓝(GA)N和红色GaAs量子阱二极管
机译:掺Si的GaAs / AlGaAs多量子阱中电子与电子相互作用的远红外研究。
机译:基于GaAs的InPBi量子点用于高效超发光二极管
机译:正偏对蓝色和绿色InGaN量子阱二极管中电致发光效率的影响:对比研究
机译:单片二维表面发射应变层InGaas / alGaas和alInGaas / alGaas二极管激光器阵列,具有超过50%的差分量子效率