机译:正偏压对蓝色和绿色InGaN量子阱二极管中电致发光效率的影响:比较研究
Kyushu Institute of Technology, Tobata, Kitakyushu 804-8550, Japan;
electroluminescence; Ⅲ-Ⅴ semiconductor; quantum well; gallium nitrides;
机译:蓝色和绿色(ln,Ga)N多量子阱二极管中随温度变化的电致发光效率的比较研究
机译:具有和不具有n-InGaN电子存储层的蓝色InGaN / GaN量子阱二极管的电致发光效率
机译:InGaN / GaN多量子阱蓝色发光二极管中的效率下降与电致发光的蓝移之间的相关性
机译:正向偏置条件对蓝色和绿色InGaN单量子阱二极管中电致发光效率的影响
机译:III型氮化物蓝光和绿光发光二极管内部量子效率的损失机理
机译:硅和蓝宝石衬底上的InGaN蓝色发光二极管的效率下降和内部电场的比较研究
机译:正偏对蓝色和绿色InGaN量子阱二极管中电致发光效率的影响:对比研究