Technology Development Center, Tokyo Electron AT Ltd;
defect; chemically amplified resist; TMAH;
机译:193nm顶表面成像工艺的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能
机译:用于极端紫外光刻的分辨率模糊与化学放大抗蚀剂随机缺陷的关系
机译:极紫外光刻技术中化学放大抗蚀剂的分辨率模糊和随机缺陷之间的关系
机译:在TMAH溶液中化学放大的抗蚀剂缺陷的行为
机译:砷化镓晶片的表面化学研究在化学放大的抗蚀剂构图过程中进行,并通过荧光进行抗蚀剂研究。
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:193nm顶表面成像过程的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能。