Dept. of Electr. Comput. Eng., Nat. Univ. of Singapore;
机译:具有阶梯式氧化物沟槽的功率VDMOS晶体管打破了硅的极限线
机译:具有阶梯式氧化物沟槽的功率VDMOS晶体管打破了硅的极限线
机译:可调谐氧化物旁路沟槽栅极MOSFET:以相等的列宽打破理想的超结MOSFET性能线
机译:可调氧化物旁路VDMOS(vervDMOS):打破第二代的硅极限
机译:集体腔QED突破了量子极限:通过量子非爆破测量产生自旋压缩态。
机译:胶态硅纳米晶体中光致发光的可调谐极限
机译:具有超浅结的自动高性能石墨烯/硅紫外光探测器:打破硅的极限?