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An ESCA Study on Ion Beam Induced Oxidation of Si

机译:离子束诱导的硅氧化的ESCA研究

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摘要

An ESCA investigation of the ion beam induced oxidation of Si samples under O_2~+ bombardment at different angles of incidence is reported. The surface stoichiometry of the built-up oxides and suboxides during oxygen bombardment was determined.The angular dependence was found more pronounced than the dependence on beam energy.
机译:ESCA研究了在不同入射角下O_2〜+轰击下离子束诱导的Si样品的氧化。测定了氧轰击过程中堆积的氧化物和亚氧化物的表面化学计量,发现角度依赖性比对束能量的依赖性更为明显。

著录项

  • 来源
    《CAS'95 proceedings 》|1995年|159-162|共4页
  • 会议地点 Sinaia(RO);Sinaia(RO)
  • 作者单位

    Institute of Physical Chemistry, Spl. Indep. 202, Bucharest 77208, Romania;

    Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), B-3001 Leuven, Belgium;

    Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), B-3001 Leuven, Belgium;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 半导体技术 ;
  • 关键词

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