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300keV Xe^(2+)离子束诱导的金属/硅界面反应

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摘要

采用RBS分析方法,研究了宽温区(LNT—400℃)下Xe^(2+)离子束诱导引起的金属/硅界面反应,得到多种硅化物单相或双相生长层,讨论了化学驱动力和辐射增强扩散效应。

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来源
《原子能科学技术》|1990年第5期|35-38|共4页
作者
毛思宁; 杨熙宏; 陈坚; 刘家瑞; 高文玉; 朱沛然;
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作者单位

北京大学技术物理系;

中国科学院物理研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TL612;
关键词
离子束; 金属-硅体系; 界面; 反应;
入库时间 2022-08-21 01:05:17

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