GaAsSb/InGaAsダブルゲートTunnel FETにおける量子効果の検討: 正孔バンドの取り扱い

摘要

近年，トランジスタの低消費電力化への要求を満たすため，従来のMOSFETとは異なる 動作原理のTunnel FET(TFET)が注目されている.TFETはSubthreshold Slopeを室温で60 mV/dec.より小さくできるため，低消費電力化に向いているとされている.しかし，TFET はトンネル抵抗が大きく，オン電流(Ion)が低いという課題がある.そこで我々はIonを高く するため，ヘテロ接合を用いてトンネル距離を縮小した構造を提案している.シミュレ一 シヨンでは，ダブルゲート構造でボディ幅を狭くするとゲート電圧の効きがよくなり， Ionが高くなることがわかっている[1].一方でrb。dyを縮小していくと，量子効果の影響が無 視できなくなると予想される.また，量子効果を考える上で重い正孔と軽い正孔に関して 考慮する必要がある.本研究では，これらの効果を考慮したTFETのシミュレーション方法 と得られた量子効果の影響について述べる.