第一原理計算による遷移金属ダイカルコゲナイドのゲージファクタ解析

摘要

層状物質である遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC)は新しい機能性材料として大きな注目 を集めており，とりわけ複数の遷移金属やカルコゲン原子によるTMDCヘテロ接合界面構造につ いては，さまざまなデバイスへの応用が研究されている[1].本研究では第6族金属（Moおよび W)とカルコゲン原子によるいくつかの組み合わせの単層および多層TMDCについて電子構造の ひずみ応答を第一原理計算により解析し，ゲージファクタのシミュレーション値に基づいて新規 デバイス素子への可能性やへテロ接合におけるマッチングについて議論した.