水中でのGe 表面のグラフェンアシストエッチングに関する研究：In situ AFM によるエッチングプロセスの観察

摘要

我々は、還元グラフェン(reduced Graphene Oxide: rGO)を援用した水中におけるGe 表面のエッチング手法を開発した[1]。この分野において、貴金属触媒の代替物として、グラフェンを用いて半導体表面のナノ構造を作製することが期待されている。しかし、溶液中での、半導体表面とグラフェンとの界面で生じる反応プロセスは不明なままである。このプロセスを解明するために、本研究ではグラフェンアシストエッチングを行ったGe 表面をIn situ 原子間力顕微鏡で観察した。