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シンクロトロンX線セクシヨントポグラフィ一による低転位密度の高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の観察

机译:用同步加速器X射线断面形貌观察低位错密度的高温高压合成金刚石单晶

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摘要

ダイヤモンドは禁制帯幅5.47eVのワイドギャップ半導体であり,次世代のパワー半 導体として期待されている.しかし結晶中の格子欠陥は素子特性に影響を与えるため,その起源 や特性を調べることは重要である.我々はシンクロトロンX線トポグラフィ一で低転位密度のダ ィャモンド単結晶の転位を同定してきたが[1,2],従来のX線トポ像では成長面から見た二次元像 であるため,転位の延伸方向の同定は困難である.そこで今回はセクショントポグラフィーを用 いて,HPHTダイヤモンド単結晶中の転位の断面方向からの観察を行ったので報告する.
机译:金刚石是禁带宽度为5.47 eV的宽禁带半导体,有望用作下一代功率半导体,但是由于晶体中的晶格缺陷会影响器件特性,因此研究其起源和特性非常重要。我们已经通过同步加速器X射线形貌[1,2]在低位错密度的金刚石单晶中发现了位错,但是传统的X射线形貌图像是从生长表面看到的二维图像。因此,很难确定位错的延伸方向,因此我们在这里使用截面形貌报告,从截面方向观察HPHT金刚石单晶中的位错。

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