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シンクロトロンX線セクシヨントポグラフィ一による低転位密度の 高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の観察

机译:高温高压合成钻石单晶的同步X射线性素材低位脱位密度

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摘要

ダイヤモンドは禁制帯幅5.47eVのワイドギャップ半導体であり,次世代のパワー半 導体として期待されている.しかし結晶中の格子欠陥は素子特性に影響を与えるため,その起源 や特性を調べることは重要である.我々はシンクロトロンX線トポグラフィ一で低転位密度のダ ィャモンド単結晶の転位を同定してきたが[1,2],従来のX線トポ像では成長面から見た二次元像 であるため,転位の延伸方向の同定は困難である.そこで今回はセクショントポグラフィーを用 いて,HPHTダイヤモンド単結晶中の転位の断面方向からの観察を行ったので報告する.
机译:钻石是一个宽隙半导体,具有禁用带宽5.47eV,预计是下一代功率半导体。然而,晶体缺陷在晶体中影响元素特征,因此检查其起源和特征是重要的。我们已经鉴定了具有同步X射线形貌的双位脱位密度双晶的脱位,但在传统的X射线拓扑中,我们是从生长表面观察的二维图像,结果是易旋转方向的识别。所以这段时间,我们使用截面种群来报告HPHT金刚石单晶位错横截面方向的观察。

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