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【24h】

p型GaNコンタク卜層に形成した高反射型フォトニック結晶による AlGaN深紫外LEDの外部量子効率改善

机译:通过在p型GaN接触层上形成的高反射光子晶体来提高AlGaN深紫外LED的外部量子效率

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摘要

AlGaN系深紫外LED(DUV-LED)は、殺菌、浄水、表面消毒、医療、農業、光学記録媒体、UV 硬化、印刷、塗料など魅力的な応用例が期待されている。しかし、DUV-LEDの外部量子効率(EQE) は、InGaN系青色LEDと比較して未だ低レ、。DUV-LEDのEQEが低い理由は、p型GaNコンタクト層での光吸収により光取出し効率(LEE)が6%以下と低いことに起因している。LEEを向上する ために、前回、高反射電極構造(Nilnm/Mg)と高反射型フォトニック結晶を透明p-AlGaNコンタクト層に形成することにより、外部量子効率(EQE)を4.8%から10%に改善した事を報告した。
机译:基于AlGaN的深紫外LED(DUV-LED)有望具有诱人的应用,例如灭菌,水净化,表面消毒,医疗,农业,光学记录介质,UV固化,印刷和油漆。但是,DUV-LED的外部量子效率(EQE)仍低于InGaN蓝色LED的外部量子效率。 DUV-LED的EQE较低的原因是,由于p型GaN接触层中的光吸收,光提取效率(LEE)低至6%或更低。为了改善LEE,通过在透明p-AlGaN接触层中形成高反射电极结构(Nilnm / Mg)和高反射​​光子晶体,可以将外部量子效率(EQE)从4.8%提高到10%。据报道,情况有所改善。

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