アップテーパ導波路構造を有する(Pb,La)(Zr,Ti)O_3(PLZT)光変調器における半波長電圧及び結合損失の低減効果

摘要

光通信やイーサネットの大容量化に伴い、更なる光変調器の性能向上が求められている。これまでEO 係数が100 pm/V 以上と高い強誘電体の(Pb,La)(Zr,Ti)O3(PLZT)を用いた高速光変調器を報告した。1,2) 一般に半波長電圧 (V) は電極長を長くすると減少し、変調帯域は電極長を短くすると増加する関係がある。本報告では、変調帯域の劣化と結合損失の増加を抑制し、Vを低減するアップテーパ導波路構造を用いたPLZT 光変調器について報告する。