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刘保亭; 闫小兵; 程春生; 李锋; 马良; 赵庆勋; 闫正;
河北大学物理科学与技术学院;
铁电存储器; NiTi; 阻挡层; Pb(ZrxTi1-x)O3;
机译:氧空位作为La_(0.5)Sr _(0.5)CoO_3 / PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O _3 / La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3电容器的疲劳证据
机译:铂硅衬底上PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_3 / La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3异质结构的红外光学性能
机译:在La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3电极厚度的硅衬底上制备的Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3薄膜的取向控制
机译:具有导电LA_(0.5)SR_(0.5)SR_(0.5)COO_3底电极的BA_(0.6)SR_(0.4)TiO_3薄膜的外延生长和电性能
机译:室温多铁性Pb(Fe0.5Ta0.5)0.4(Zr0.53Ti0.47)0.6O3的研究:共振超声光谱介电和磁现象
机译:应变分离和有限尺寸效应对铁磁体的影响 La_ {0.5} sr_ {0.5} CoO_3薄膜的性质
机译:于0.5-0.6%的硅和0.4-0.5%的含镁铝的电线退火方法
机译:制备了一种电溶体的方法,该方法解决了*和摩尔比大于0.5的单胺,从而获得了一种含铝的电解电容器,该电解电容器含有电溶体。
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