六⽅晶窒化ホウ素上での⾼結晶性グラフェンナノリボン⼤量合成

摘要

我々はCu 触媒とCH4/H2 プラズマを⽤いることで、絶縁基板上でも酸化グラフェン(GO)から結晶性の⾼いグラフェンを作製できることを報告してきた[1]。本⼿法では、処理前後で形状は維持されるため、GO の事前加⼯による任意の形状をもったグラフェンの作製が可能である。今回、我々はこの特徴を利⽤し、カーボンナノチューブ (CNT) 開裂によって作製したナノリボンの修復による⾼結晶性ナノリボンの⼤量合成を試みたので報告する。