グラフェンへの六方晶窒化ホウ素を用いたバンドギャップの導入

摘要

グラフェンは黒鉛を単層剥離した炭素六員環構造を有する2次元炭素材料であり、高い電子移動度を有するため次世代の高速トランジスタへの応用が期待されている。しかし、グラフェンには理論上、電流を制御するために必要なバンドギャップが存在しない。そのため、グラフェンに対してバンドギャップを導入する必要がある。そこで、グラフェンと類似した構造を有する絶縁体である六方晶窒化ホウ素（h-BN）を混合することでバンドギャップを導入する方法を考えた。本研究では、グラフェンの生成方法としてグラフェンの大量生成が可能である化学的剥離法を用い、グラフェンに対するh-BNの混合割合を変化させ、特性評価を行った。