GaN基板上 基板上 n型および および p型エピ層 のキャリア のキャリア 再結合 の比

摘要

GaNは優れた物性値 は優れた物性値 は優れた物性値 は優れた物性値 を持つこと を持つこと から 、パワーデバイスへの応用が期待されている。 パワーデバイスへの応用が期待されている。 パワーデバイスへの応用が期待されている。 パワーデバイスへの応用が期待されている。 パワーデバイスへの応用が期待されている。 パワーデバイスへの応用が期待されている。 パワーデバイスへの応用が期待されている。 パワーデバイスへの応用が期待されている。 パワーデバイスへの応用が期待されている。 パワーデバイスへの応用が期待されている。 ノーマリオフの ノーマリオフの ノーマリオフの ノーマリオフの ノーマリオフの スイッチング スイッチング スイッチング デバイスには デバイスには デバイスには デバイスには 通常 n型と p型両方 の伝導型が 必要となるの伝導型が 必要となるの伝導型が 必要となるの伝導型が 必要となるの伝導型が 必要となるの伝導型が 必要となる、p型結晶 に含まれる結晶欠陥 に含まれる結晶欠陥 に含まれる結晶欠陥 に含まれる結晶欠陥 に含まれる結晶欠陥 が どのような どのような 電気伝導に 電気伝導に 対してどのような影響 対してどのような影響 対してどのような影響 対してどのような影響 対してどのような影響 を与えるかは十分 与えるかは十分 与えるかは十分 与えるかは十分 わかってい なわかってい なわかってい なわかってい な。我々は、 。我々は、 。我々は、 GaN 基板上 基板上 n型 GaNホモエピ層 ホモエピ層 ホモエピ層 に対してキャリア に対してキャリア に対してキャリア に対してキャリア 再結合 再結合 の測定を行 測定を行 って きた [1,2]。本研究では 本研究では 本研究では p型 GaNホモエピ層 ホモエピ層 ホモエピ層 の キャリア キャリア 再結合 再結合 測定を行った 測定を行った 測定を行った ため、その結果を報告する ため、その結果を報告する ため、その結果を報告する ため、その結果を報告する ため、その結果を報告する ため、その結果を報告する 。