高次横方向回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおける水平横モード制御

机译：具有高阶横向衍射光栅的脊型半导体激光器中的横向横向模式控制

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p-クラッド層に4次の横方向位相シフト回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおいて，レーザー特性をシミュレーションした．メサ幅8.0 μmにおいて，メサ両脇のうち片側の横方向回折格子の周期数N ≥ 40のとき，注入電流I ≤ 3 Aの範囲でキンクフリー動作が得られた．

机译：我们在p包层中模拟了具有四阶横向相移衍射光栅的脊型半导体激光器的激光特性。在台面宽度为8.0μm的情况下，当台面一侧的横向衍射光栅的周期数N≥40时，在注入电流I≤3 A的范围内可获得无扭结操作。

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来源
《応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会》|2018年|03.017|共1页
会议地点
作者
德永裕武; 沼居貴陽;
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作者单位

立命館大学大学院理工学研究科numai@se.ritsumei.ac.jp;

立命館大学大学院理工学研究科;

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