金ナノ粒子修飾サファイヤ基板上酸化ガリウム薄膜の作製

摘要

近年、ワイドギャップ半導体として注目される酸化ガリウム(Ga_2O_3)は、少なくとも5 つの結晶構造をとることが報告されており、なかでもコランダム構造Ga_2O_3(α-Ga_2O_3)に我々は注目している。Α-Ga_2O_3 はミストCVD 法によって、同じくコランダム構造を有するサファイヤ基板(α-Al_2O_3)上に成長が可能である。しかしサファイヤ基板との格子ミスマッチが4.6％と大きいため、エピ層に多くの刃状転位が存在する。そこで高品質なα-Ga_2O_3 の作製に向けて、金粒子を用いたα-Ga_2O_3 の成長を試行したので報告する。