ゥエツ卜プロセスによるナノアモルファス層状窒化炭素薄膜の作製とその光学特性

摘要

層状窒化炭素（g-C_3N_4)は単層で約2.7eVのバンドギャップを持つ非金属半導体である。その特徴的なエネルギー準位のために、発光素子ゃ受光素子として白色発光ダイオードや光触媒の研究が進められている。特に、従来の白色LEDはガリウムやインジウムなどのレアメタルを用いるが、一方でg-C_3N_4は窒素と炭素から合成されているため、材料枯渴の心配が無いという利点がある。本研究では、大気圧窒素プラズマ法で合成されたナノアモルファス層状窒化炭素(na-g- C_3N_4)を使用している。