JSR Corporation, 100, Kawajiri-cho, Yokkaichi, Mie, 510-8552, Japan;
acid diffusion length; resist blur; ArF lithography;
机译:电子束光刻中潜酸图像的分辨率模糊和化学放大抗蚀剂的产酸效率
机译:193nm顶表面成像工艺的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能
机译:用于极端紫外光刻的分辨率模糊与化学放大抗蚀剂随机缺陷的关系
机译:化学放大抗蚀剂的图像模糊的各种因素
机译:使用新的化学放大抗蚀剂进行浮雕和功能成像。
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:193nm顶表面成像过程的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能。