ST Microelectronics, Laboratoire des Technologie de la Microelectronique, Grenoble, Crolles, France;
Laboratoire des Technologie de la Microelectronique, Grenoble, France;
ST Microelectronics, Crolles, France;
ST Microelectronics, Crolles, France;
Laboratoire des Technologie de la Microelectronique, Grenoble, France;
Laboratoire des Technologie de la Microelectronique, Grenoble, France;
Chemical downstream plasma; chemical dry etching; NF_3/N_2/O_2; selective etching; slicon-nitride silicon-oxide selectivity;
机译:氮化硅的薄层蚀刻:离子注入后选择性去除下游等离子体,液体HF和气体HF工艺的比较
机译:氮化硅的表面蚀刻,化学改性和表征以及Si3N4和SiO2的氧化硅选择性官能化
机译:通过磷酸解开氮化硅在二氧化硅上的选择性蚀刻机理:第一原理研究
机译:氮化硅和氧化硅的选择性“化学下游等离子体蚀刻”,用于先进的图案化应用
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:从硅工程到多孔硅和硅金属辅助化学刻蚀的纳米线:Ag的大小和作用电子清除率对形貌控制及机理的影响
机译:先进的耐腐蚀材料及其对半导体硅晶片制造中的等离子体蚀刻工艺的系统研究与表征
机译:用于金纳米粒子选择性沉积的二氧化硅基板的化学图案化及单电子晶体管的制作