メタルマスクを用いた(111)ダイヤモンド選択成長と水素終端ダイヤモンド FETへの応用

摘要

ダイヤモンドは多くの優れた特性を有するため、過酷な環境下で動作可能な低消費電力・大電力制御用の次世代パワーデバイス材料として期待されている。現在、積極的に研究されているダイヤモンドデバイスは、水素終端ダイヤモンドを用いた表面チャネルFETであり、デバイス特性の更なる改善には、表面平坦性の優れたダイヤモンドホモエピタキシャル膜を用いてMOSもしくはMIS構造を形成することが必要であると考えられる。本研究では、メタルマスクを用いて平坦性の優れた(111)ダイヤモンド表面を得る検討を行った。また得られた膜を用いて MOS 構造を形成し、FET特性を調査したので報告する。