酸素負イオン照射による錫添加In_2O_3薄膜における広範囲キャリア密度制御

摘要

錫添加In_2O_3 (以下、ITO) は高い透明性と優れた電気伝導性を有し、資源問題を抱えつつも透明導電膜として最も広く用いられている。キャリア密度制御は膜原料内のドナー濃度や成膜後の熱処理による報告が多いが、熱処理前の状態を非晶質相とし、結晶化すべく300 °C以上の高温下でのプラズマ処理による報告もある。一方、既に結晶化させたITO膜におけるキャリア密度の大幅な制御に関する報告例は殆ど無い。本研究では、酸素負イオン(O−)を駆使することにより、ITOのキャリア密度を大幅な量において制御することに成功した。