Engineering Department, Cambridge University, Trumpington Street, Cambridge CB2 1PZ, UK;
buried field rings; edge termination; high voltage; JFET;
机译:斜面结终止扩展— 4H-SiC高压器件的新型边缘终止技术
机译:4H-SiC-多浮区连接端接扩展中高压器件的新型边缘端接技术
机译:高压台面结构的边缘终止技术4H-SIC器件:负斜面
机译:埋场环-一种用于4H-SiC高压器件的新型边缘端接方法
机译:功率碳化硅器件中的边缘端接和RESURF技术。
机译:具有氩注入边缘端接的高压β-Ga2O3肖特基二极管
机译:一种新颖的区域有效浮动场限制环边终止技术