School of Microelectronic Engineering, Griffith University Nathan Campus, Queensland 4111, Australia;
nitrided gate oxide; SiC-SiO_2 interface; surface microroughness; surface passivation;
机译:氟和氢在SiC-SiO_2界面处的钝化作用
机译:SiC-SiO_2界面处的键合以及氮和氢的影响
机译:4H-SiC / SiO2在不同大气中的界面化学和电气特性
机译:通过低温(300°C)的SiC-SiO_2界面形成的初始阶段通过低温(300°C)远程等离子体辅助氧化Si和C面上的平面和张开6小时
机译:同行评审中的交流:计算机界面,问题模棱两可和初始注释的影响。
机译:Ti-24Nb-4Zr-8Sn合金纳米多孔氧化钛膜表面特征对成骨样MG-63细胞初始黏附的影响
机译:评论SiO2 / Si(100)界面PB1中心结构的“对PB1中心结构”的“J。苹果。物理。 95,4096(2004)
机译:铌合金的氮化:界面效应