Department of Electrical Engineering and Computer Science, The University of Michigan, Ann Arbor, MI 48109-2122, USA;
机译:使用Cat-CVD SiN钝化技术的GaN基FET在毫米波应用中
机译:基于SiGe BiCMOS 55 nm技术的毫米波噪声源开发,适用于高达260 GHz的应用
机译:V波段毫米波源模块的开发
机译:基于GAN的GAN的发展毫米波源
机译:分析建模 和加载 降压转换器 的 GaN基 点 的 发展 与 优化 反向传导 损耗
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:开发V频段毫米波源模块
机译:毫米波应用的来源开发