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机译:使用Cat-CVD SiN钝化技术的GaN基FET在毫米波应用中
机译:使用Cat-CVD SiN栅极绝缘层和钝化层的f {sub} T为163 GHz的AlGaN / GaN MIS-HFET
机译:高f_T和f_(max)AlGaN / GaN HFET通过使用薄且高Al组成的AlGaN势垒层和Cat-CVD SiN钝化来实现
机译:GaN基MIS-HEMT中AlN / SiN x sub>钝化与LPCVD-SiN x sub>栅介质的相容性
机译:实现极低表面复合速度的Cat-CVD SiN_x / a-Si叠层钝化膜的均光降解和阻尼热试验研究
机译:嵌入式无源电路的特性和设计,适用于高达毫米波频率的应用。
机译:用于干涉式被动毫米波成像应用的模拟复数互相关器的正交误差和DC偏移校准
机译:氮化镓基FET用于微波大功率 ud应用领域