Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, SK-84239 Bratislava, Slovakia;
机译:简单平行导电萃取法萃取高电阻GaN体层中低温导电机理的研究
机译:简单平行导电萃取法萃取高电阻GaN体层中低温导电机理的研究
机译:MOCVD生长的高Mg掺杂GaN外延层的电输运特性
机译:高电阻GaN层的电气运输
机译:用于砷化铟和磷化铟器件的高电阻率和晶格失配的铟砷磷和铝铟砷磷缓冲层的金属有机气相外延生长和电学表征。
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:简单平行导电萃取法萃取高电阻GaN体层中低温导电机理的研究
机译:缺陷对GaN纳米线电输运,光学性质和失效机理的影响