Graduate school of Energy Science, Kyoto University, Gokasho, Uji, Kyoto 611-0011 Japan;
silicon carbide; swelling; ion irradiation; dual-beam irradiation method;
机译:辐照温度和产氦量对碳化硅尺寸稳定性的影响
机译:在高温下进行的超低能量,大剂量氦硅注入中的缺陷演变
机译:氦气注入碳化硅晶体中缺陷产生的建模对我们TEM结果的解释
机译:温度,流量,剂量率和氦气生产对碳化硅缺陷积累和肿胀的影响
机译:在6H-碳化硅和15R-碳化硅衬底上生长的砷化硼外延层的缺陷结构和生长机理。
机译:碳化硅中辐射缺陷动力学的非单调温度依赖性
机译:在硅(100)衬底上立方碳化碳铝铝膜的溅射:基板温度和沉积功率的影响
机译:碳化硅基材料的高温发射率。第1卷:碳化硅基材料的高温正常光谱发射率。第2卷。热处理对碳化硅基材料发射率的影响。专题报道