School of VLSI and embedded system Design, NIT Kurukhsetra, India;
School of VLSI and embedded system Design, NIT Kurukhsetra, India;
MOSFET; Logic gates; Dielectrics; Electric fields; Semiconductor device modeling; High-k dielectric materials;
机译:介质口袋双栅极无结FET:具有改进的亚阈值特性的新型MOS结构,适用于低功耗VLSI应用
机译:具有双材料栅叠层的纳米级无结双栅MOSFET的亚阈值行为模型
机译:适用于对称和非对称双栅极结构的纳米级短沟道无结MOSFET的亚阈值电流模型
机译:介电袋GE源双栅极连接MOSFET,具有改进的关流和亚阈值特性
机译:平面源极袋(PSP)隧道MOSFET:适用于低功耗应用并改善隧道MOSFET性能的潜在器件解决方案。
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:生物分子位置和填充因子对介质调制双栅极无结mOsFET生物传感器灵敏度的影响