Imec, Kapeldreef 75, B- 3001 Leuven, Belgium;
机译:应变SiGe p-MOSFET在各种(001)Si凹陷结构上对选择性外延生长的影响
机译:应变硅的选择性外延沉积:一种简单而有效的方法来制造高性能MOSFET器件
机译:使用GeSn / Ge CVD外延生长和最佳选择性沟道释放工艺在硅上垂直堆叠的应变3-GeSn-纳米片pGAAFET
机译:通过选择性外延生长制造的紧张GE FinFET结构
机译:Si和SiGe / Si异质结构在热壁管状低压化学气相沉积系统中的选择性外延生长。
机译:集成选择性外延生长和选择性湿法刻蚀制造高质量和应变松弛的GeSn微盘
机译:对各种(001)Si凹陷结构上应变SiGe P-MOSFET的选择性外延生长的影响
机译:In(x)Ga(1-x)as / Gaas应变量子阱结构的分子束 - 外延生长的临界检验。