将VLSI可兼容的鳍结构与选择性外延生长集成并在其上制造器件

摘要

通过从在第一沟槽底部处的衬底表面外延生长第一类型材料的第一外延区域形成不同的n‑和p‑型器件鳍，第一沟槽形成于浅沟槽隔离(STI)区域之间。STI区域和第一沟槽高度是它们的宽度的至少1.5倍。蚀刻掉STI区域以暴露衬底的顶面，从而在第一外延区域之间形成第二沟槽。在第一外延区域的侧壁上的第二沟槽中形成间隔材料的层。从在第一外延区域之间的第二沟槽的底部处的衬底表面生长第二类型材料的第二外延区域。可从第一和第二外延区域形成n‑和p‑型鳍对。鳍被共同集成并且减少了来自材料界面晶格失配的缺陷。