Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), 1 CREATE Way, #10-01/02 CREATE Tower Singapore;
机译:通过双层转移工艺将Ⅲ-Ⅴ材料与Si-CMOS集成
机译:通过多层转移过程集成GaAs,GaN和Si-CMOS在共同的200mM Si衬底上
机译:使用脉冲粒子束对金属材料表面层进行的改性工艺,1.大电流电子束处理导致的传质和混合工艺
机译:通过双层转移过程整合III-V材料和SI-CMOS
机译:用于相似和不相似材料集成的低温层转移技术。
机译:作为回收过程的一部分的多层塑料材料重新加工:加工多层材料的特点
机译:在处理压缩等离子体流动期间,冲击压缩层对靶材料的质量传递的影响