Electrical Engineering Department, Centro Universit#x00E1;
rio da FEI, S#x00E3;
o Bernardo do Campo, Brazil;
SOI nMOSFETS; analog parameters; harmonic distortion; liquid helium temperature;
机译:非对称沟道掺杂分布和温度降低对使用FD SOI nMOSFET实现的电流镜性能的影响
机译:通过使用非对称自共源共栅配置改善FD SOI晶体管的DC模拟特性
机译:分析在低温下使用渐变沟道SOI nMOSFET实现的源极跟随器缓冲器
机译:不对称自集CADODE FD SOI NMOSFET在低温温度下的谐波畸变
机译:评估具有分布式谐波源的系统的谐波失真。
机译:色散场和气体温度的变化控制场非对称波形离子迁移谱中的离子畸变
机译:几何参数对非对称自级码FD SOI NMOSFET的DC模拟行为的影响
机译:低温试验台实验:低温热管飞行试验CRYOHp(sTs-53)。低温两相飞行实验CRYOTp(sTs-62)。低温柔性二极管飞行实验CRYOFD