Centro Universit#x00E1;
rio da FEI: Electrical Enigeering Department - S#x00E3;
o Bernardo do Campo, Brazil;
Junctionless Transistors; Output Conductance; Voltage Gain;
机译:无结纳米线晶体管的低温操作:较少的表面粗糙度散射效应和主要的散射机制
机译:多双极晶体管在液氦温度(9 K)附近的操作
机译:用于模拟应用的应变全栅无结隧穿纳米线场效应晶体管的表示
机译:无连接纳米线晶体管的模拟操作降至液氦温度
机译:液氮温度下MOS和双极晶体管的操作
机译:低工作电压的二维非晶态氧化铟锡纳米片无结晶体管
机译:NMOS连接晶体管聚焦谐波失真的模拟操作温度依赖性