Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University Tainan, Taiwan;
SRAM; local assist; process variations; subthreshold; ultra low energy;
机译:使用InGaAs-n / Ge-p超薄体MOSFET评估单片3-D逻辑电路和6T SRAM
机译:单端28-NM CMOS 6T SRAM设计,具有读取辅助路径和PDP还原电路
机译:电路辅助方法对6T SRAM中余量和性能的影响
机译:300mV子1PJ差示6T子阈值SRAM,具有低能量和可变性弹性局部辅助电路
机译:使用均衡器设计节能的亚阈值逻辑电路,使用忆阻器设计非易失性存储电路。
机译:具有集成光纤的多阵硅探头:在行为动物中光辅助扰动和局部神经电路的记录
机译:具有水平局部位线和位交织的电源和区域高效子阈值6T SRAM
机译:超低功耗亚阈值电路:程序概述