机译:GaN-on-Si功率HEMT中的负偏置引起的阈值电压不稳定性
机译:用于电源应用的具有电压放大功能的铁电栅堆叠AlGaN / Si-GaN MOS-HEMT的实验演示
机译:InP HEMT上的AlInAs / GaInAs用于高功率附加效率微波放大器的低电源电压操作
机译:高压低ron原位SIN / AL0.35GO.0.65 / GAN-ON-SI功率HEMTS操作可达300°C
机译:孤岛操作中连接低压微电网的电力电子设备的电源管理
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:基于基材电子注入对Gan-on-Si Hemts动态ron的影响