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缩略语对照表
第一章 绪论
1.1研究背景和意义
1.2国内外研究趋势和现状
1.3论文的研究目的、内容与结构安排
第二章 电子系统的电磁损伤效应与机理
2.1典型的电磁脉冲
2.2电子系统电磁脉冲的耦合作用及效应分类
2.3电磁脉冲防护技术
2.4半导体器件HPEM效应及失效机理
2.5本章小结
第三章 AlGaAs/GaAs HEMT HPM损伤效应机理
3.1 AlGaAs/GaAs基本理论
3.2 AlGaAs/GaAs仿真模型构建
3.3 GaAs pHEMT基本特性仿真
3.4 Ku 波段GaAs pHEMT HPM损伤效应
3.5 L波段GaAs pHEMT HPM损伤效应
3.6本章小结
第四章 GaAs低噪声放大器效应实验
4.1实验方案
4.2损伤判据
4.3实验分析与讨论
4.4本章小结
第五章 GaN HEMT EMP损伤效应与机理
5.1 GaN HEMT基本结构与特性
5.2 GaN 仿真模型构建
5.3 EMP作用下GaN HEMT的损伤机理
5.4 GaN HEMT EMP损伤的脉宽效应
5.5本章小结
第六章 GaN HEMT 耐压机理研究
6.1 AlGaN/GaN HEMT的表面电场
6.2 GaN帽层对表面电场的影响
6.3带有局域P埋层的HEMT结构设计与电场优化
6.4本章小结
第七章 总结与展望
7.1本文总结
7.2工作展望
参考文献
致谢
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