机译:衬底上电子注入对GaN-on-Si HEMT中动态Ron的影响
机译:衬底电压对GaN-on-Si HEMT电容影响的建模
机译:通过P-GaN栅极的空穴注入抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中的基板耦合
机译:硅基氮化镓功率晶体管中的缓冲剂俘获引起的RON降解:从硅衬底注入电子的作用
机译:温度和热电子对HEMT的影响及其对大信号响应衰减的影响的测量和建模。
机译:热原子层沉积AlN钝化层对GaN-on-Si高电子迁移率晶体管的影响
机译:GaN-on-Si功率HEMT中的电子陷阱:正衬底偏置的影响